场效应管是一种半导体器件，其原理是利用半导体的电阻率和导电性受控于外加电场的特性来达到放大、开关和调节电压等功能。场效应管通常由源极、漏极和栅极三部分组成。当施加在栅极上的场强发生变化时，导致其下方的导电材料（也就是沟道）的电阻率发生变化，从而导致电流的变化。场效应管的主要作用是作为一种可控的电阻器或开关来控制电路中的电流。
场效应管与普通的晶体管相比，具有低电压驱动、低功耗、高输入阻抗、高增益等优点。在集成电路中，场效应管也是非常重要的元器件，因为它可以被用来构建各种逻辑门电路、模拟电路和放大器等。