静电场的高斯定理是描述静电场中电荷分布与电场强度之间关系的重要定理。其数学表达式为：
$\oint_{S} \mathbf{E} \cdot \mathbf{dA} = \frac{Q}{\epsilon_0}$
其中：
$\oint_{S} \mathbf{E} \cdot \mathbf{dA}$ 是电场强度 $\mathbf{E}$ 通过任意闭合曲面 $S$ 的通量。
$\mathbf{E}$ 是电场强度矢量。
$\mathbf{dA}$ 是闭合曲面 $S$ 上各点的面积矢量，其方向垂直于该点处的曲面，指向曲面的外侧。
$Q$ 是闭合曲面 $S$ 所包围的电荷的代数和。
$\epsilon_0$ 是真空中的介电常数。
高斯定理的物理意义是：穿过任一闭合曲面的电场强度通量等于该闭合曲面所包围的电荷的代数和与真空介电常数之比。这个定理揭示了静电场中电荷分布与电场强度之间的定量关系，是静电学中的基本定理之一。