NAND闪存是由Toshiba公司的一位工程师Fujio Masuoka在1984年发明的。
Fujio Masuoka是Toshiba公司的一名研究员，他的发明是基于Toshiba公司在动态随机存取存储器（DRAM）技术方面的长期研究。在当时，DRAM已经成为半导体存储器市场的主流产品，但它存在一些不足之处。Masuoka经过深入研究和思考，提出了一种全新的非易失性存储器的概念，这就是NAND闪存。
NAND闪存是一种基于闪存技术的存储器类型，它使用了一种称为"NAND"的逻辑门结构。与传统的存储器类型相比，NAND闪存具有更高的密度、更低的成本、更快的读取速度和较长的擦写寿命。它是一种非易失性存储器，可以在断电的情况下保持数据的稳定性，并且可以通过电子擦除和编程操作来更改存储的数据。
Masuoka的发明被广泛应用于各种设备中，包括计算机、移动设备、数码相机、USB闪存驱动器等等。他的发明对存储器技术的发展产生了巨大影响，为后续的存储器研究和发展铺平了道路。
NAND闪存是由Toshiba公司的工程师Fujio Masuoka在1984年发明的。他基于对DRAM技术的研究，提出了全新的非易失性存储器概念，并设计了一种新的逻辑门结构，即NAND闪存。NAND闪存具有高密度、低成本、快速读取和长寿命等优点，成为存储器技术发展的重要里程碑。它被广泛应用于各种设备中，并对后续存储器研究起到了重要推动作用。
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