半导体的掺杂是指将某些杂质离子引入到半导体材料中，从而改变其电学性质。其中p型掺杂和n型掺杂是两种常见的掺杂方式。
p型掺杂是通过向半导体晶体中掺入3价元素（如铝、硼等），使其成为p型半导体。在p型半导体中，杂原子的空缺会形成电子空穴，电子的主导是由空穴传导所决定。p型半导体的特点是电子数很少，流动主要依靠空穴，所以其导电性能较差。
n型掺杂则是通过向半导体晶体中掺入5价元素（如磷、氮等），使其成为n型半导体。在n型半导体中，杂原子产生的多余电子成为电子携带者，电子的主导是由电子本身传导所决定。n型半导体的特点是电子数较多，流动主要依靠电子，所以其导电性能较好。
p型半导体适用于某些特殊的电子器件，如场效应管、二极管等，而n型半导体则适用于大多数半导体器件，如晶体管、集成电路等。